光刻機又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻)意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

更廣范圍(UV，DUV，NUV)的紫外光波長選擇，出射光強范圍: 8mW/cm2~40mW/cm2

支持恒定光強或恒定功率模式

廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領。

常見曝光機舉例：MYCRO美國制造的恩科優(N&Q)紫外曝光系統，適用于從特殊大小的基片到4尺寸很寬廣范圍材料的紫外或深紫外光曝光。NXQ400-6系統成功地應用于半導體制造，光電電子，平板，射頻微波，衍射光學，微機電系統，凹凸或覆晶設備和其他要求精細印制和精度對準的應用。

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