每日簡訊：科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

(資料圖片僅供參考)

在科友半導體產學研聚集區一期工程投產前夕，科友半導體實驗線傳出好消息，以科友半導體自主設備和技術研發的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破，達到32.146mm，業內領先。

科友半導體成立于2018年，主要攻關第三代半導體材料和裝備。公司在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上，不斷向產業化方向邁進，目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產權體系，具備規?；a條件。

科友半導體從成立伊始就致力于半導體技術和產業的自主創新。目前，公司自主研發的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現國產替代。

研發進程

2022年2月,6英寸碳化硅晶體厚度突破20mm

2022年4月,6英寸碳化硅晶體厚度突破28mm

2022年6月,6英寸碳化硅晶體厚度突破32mm

關鍵詞： 自主知識產權 半導體材料 的基礎上