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在科友半導體產學研聚集區一期工程投產前夕,科友半導體實驗線傳出好消息,以科友半導體自主設備和技術研發的6英寸SiC晶體在厚度上實現突破,達到32.146mm,業內領先。
科友半導體成立于2018年,主要攻關第三代半導體材料和裝備。公司在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上,不斷向產業化方向邁進,目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產權體系,具備規模化生產條件。
科友半導體從成立伊始就致力于半導體技術和產業的自主創新。目前,公司自主研發的SiC長晶爐(感應)已有99%的部件實現國產替代。
研發進程
2022年2月,6英寸碳化硅晶體厚度突破20mm
2022年4月,6英寸碳化硅晶體厚度突破28mm
2022年6月,6英寸碳化硅晶體厚度突破32mm
關鍵詞:
自主知識產權
半導體材料
的基礎上