近日，有報道稱，為了發展新一代功率半導體，韓國30家本土半導體企業以及大學和研究所將于4月14日組建碳化硅產業聯盟，以應對急速增長的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（GaO）等寬禁帶半導體所引領的新型功率半導體市場，從而形成韓國本土碳化硅生態圈。

據悉，聯盟內的30家韓國功率半導體企業將共同參與材料、零部件、設備用功率半導體的開發，培育與碳化硅半導體相關的材料、零部件和設備企業的發展。其中，LX Semicon將負責研發碳化硅半導體，SK siltron則負責碳化硅襯底，Hana Materials和STI將研發碳化硅半導體零件和設備技術。

嘉泉大學、光云大學和韓國國民大學將支持碳化硅半導體研發基礎設施，國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術研究所將提供技術支持。

根據Yole Developpement的數據，到2027年，碳化硅功率半導體市場預計將達到63億美元，年增長率為34%。

賽迪顧問集成電路中心高級咨詢顧問池憲念向《中國電子報》記者介紹到，硅材料已經受技術瓶頸和研制成本劇增等因素影響，正逼近極限。碳化硅由于其化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好、硬度高等特性，使其被稱為“理想器件”，也是當前寬禁帶半導體中的應用場景最為廣范的。目前碳化硅器件在EV/HEV上應用主要是功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等方面。全球各國都在爭相研究，進度也是突飛猛進，其中在半導體領域，以占領材料和元器件為主的日本，更是下足了功夫。

除了日本企業以外，Cree、英飛凌、意法半導體、安森美等國際知名半導體企業也在全球范圍內布局寬禁帶半導體，增長勢頭迅猛，目前寬禁帶功率半導體市場主要由德國、美國和日本的半導體公司主導。韓國多家企業此時組建碳化硅聯盟開始大力發展，目的是為了搶占本土寬禁帶功率半導體市場，以免受制于人。

中國目前同樣面臨相同的處境，我國擁有全球最大的功率半導體市場，在約500億美元的全球功率半導體市場中，中國市場貢獻了35%~40的份額。對于中國企業而言，日益擴大的國內碳化硅市場，無疑為其發展提供了更為廣闊的發展空間。

北京半導體行業協會副秘書長朱晶向《中國電子報》記者指出，一段時期以來，國內寬禁帶半導體在器件開發、產能建設、制備技術、應用推廣等領域取得了一定的進展，初步形成了技術和產業體系。但在產業規模和產品競爭力上，仍與國際先進水平存在差距。朱晶建議，在碳化硅襯底材料和外延等基礎環節，加快建立適應國內最終需求的集成電路供給體系，優化生態環境，形成超大規模市場與供給能力提升之間的良性循環。

關鍵詞： 集成電路 中國電子報