6月8日，美國MOCVD設備廠商Veeco 宣布，中國臺灣半導體研究所（TSRI、Narlabs）已選擇Veeco的Propel? R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD）設備，用于以氮化鎵（GaN）為基礎的功率和射頻器件相關的前沿開發和協作。

據官方介紹，Veeco的Propel? GaN MOCVD系統專為功率半導體和射頻應用設計，配置了一個單晶圓反應器平臺，能夠沉積高質量GaN膜，用于生產高效功率器件和射頻器件。

單晶圓反應器是基于Veeco的Turbo Disc?技術，包括Iso Flange?和Symm Heat?突破性技術，能夠幫助實現整個晶圓的均質層流及一致的溫度曲線，它是大批量生產和300mm功能以及研發應用的理想選擇。

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Veeco 表示，Propel? R&D MOCVD設備已安裝在TSRI新竹實驗室，能夠聯合協作推動技術創新，以及GaN新興市場開發和展示技術的能力。此次雙方將共同努力和協作加速第三代半導體技術在200和300mm襯底上的大批量、低成本應用。

關鍵詞： 應用設計 能夠幫助 新興市場