6月8日,美國MOCVD設備廠商Veeco 宣布,中國臺灣半導體研究所(TSRI、Narlabs)已選擇Veeco的Propel? R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)設備,用于以氮化鎵(GaN)為基礎的功率和射頻器件相關的前沿開發和協作。
據官方介紹,Veeco的Propel? GaN MOCVD系統專為功率半導體和射頻應用設計,配置了一個單晶圓反應器平臺,能夠沉積高質量GaN膜,用于生產高效功率器件和射頻器件。
單晶圓反應器是基于Veeco的Turbo Disc?技術,包括Iso Flange?和Symm Heat?突破性技術,能夠幫助實現整個晶圓的均質層流及一致的溫度曲線,它是大批量生產和300mm功能以及研發應用的理想選擇。
(資料圖)
Veeco 表示,Propel? R&D MOCVD設備已安裝在TSRI新竹實驗室,能夠聯合協作推動技術創新,以及GaN新興市場開發和展示技術的能力。此次雙方將共同努力和協作加速第三代半導體技術在200和300mm襯底上的大批量、低成本應用。
關鍵詞:
應用設計
能夠幫助
新興市場